特許

J-GLOBAL ID：200903058454009057

半導体処理装置

発明者： 三瀬 信行
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-162693
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012561
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】一度に複数枚のウエハを処理し、その処理をウエハ全面にわたって均一に行い、発塵の少ない処理を可能にする。【解決手段】短時間で半導体素子を製造することを考え一度に二枚のウエハ1が処理でき、処理が均一で、低発塵の装置を実現するため、反応炉3内にウエハ1の回転機構を設けるのではなく、反応炉3内でのウエハ1の処理,ウエハ1の取り出し,ウエハ1の向きの調整を繰り返す。

請求項（抜粋）：

複数の反応炉を有し、前記反応炉でウエハを処理する半導体処理装置において、第一反応炉で前記ウエハに処理を施した後、前記ウエハを前記第一反応炉から取り出し、前記第一反応炉と第二反応炉とでは前記ウエハの向きと平均的なガスの流れの関係が異なるように前記第一反応炉,前記第二反応炉の外で前記ウエハの向きを調整し、前記ウエハを前記第二反応炉に入れ、前記処理とほぼ同一の処理を施すことを特徴とする半導体処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/22 501 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68

FI (6件)：

H01L 21/22 501 B ,  C23C 16/44 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/302 B