特許

J-GLOBAL ID：200903058459511494

Mgドープ低異方性高温超伝導体とその製造方法

発明者： 伊原 英雄 ,  エス・ケイ・アガワル
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-122631
公開番号（公開出願番号）：特開平11-278837
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：

【要約】【課題】超伝導異方性を低くしたことを特徴とするMgドープ低異方性高温超伝導体およびその製造方法を提供する。【解決手段】電荷供給層と超伝導層からなる2次元的な層状構造をもち、電荷供給層を構成する原子の一部または全部をCu,Oの原子で構成し電荷供給層を金属化若しくは超伝導化すると共に、CunCan-1O2n-2超伝導層を構成するCaの一部をMgで置換し、CuO2層間の超伝導結合を大きくし、さらに超伝導層の厚さ(厚さ方向のコヒーレンス長)を大きくする。

請求項（抜粋）：

電荷供給層と超伝導層からなる2次元的な層状構造をもち、電荷供給層を構成する原子の一部または全部をCu,Oの原子で構成し電荷供給層を金属化若しくは超伝導化すると共に、CunCan-1O2n-2超伝導層を構成するCaの一部をMgで置換し、CuO2層間の超伝導結合を大きくし、さらに超伝導層の厚さ(厚さ方向のコヒーレンス長)を大きくして、不確定性原理に基づき、超伝導異方性を低くしたことを特徴とするMgドープ低異方性高温超伝導体。

IPC (5件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (5件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 L ,  H01L 39/22 ZAA B ,  H01L 39/24 ZAA B