複合ダイオード

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-248642
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086621
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 PNダイオードの長所の高逆耐圧特性と、ショットキダイオードの長所の低順電圧降下特性を兼ね添えたPNダイオードとショットキダイオードとの複合ダイオードを提供する。【構成】 N形シリコン領域2とその表面を残して、上記N形シリコン領域2に囲まれ、半導体基板3表面に上記N形シリコン領域2と交互に配置されるP+形シリコン領域4と、このP+形シリコン領域4と交互に配置されるN+形シリコン領域2の表面に3価の金属を除くショットキバリア金属を形成した金属層7と、この金属層7とP+形シリコン領域にアルミニウムを形成された電極とにより構成されている。

請求項（抜粋）：

ショットキ接合が形成されている第1の半導体領域と、PN接合が形成されている第2の半導体領域とが半導体基板表面に上記第1の半導体領域と交互に配置され、かつ、上記第2の半導体領域と交互に配置される上記第1の半導体領域の表面に3価の金属を除くショットキバリア金属により形成されている金属層と、上記金属層と上記第2の半導体領域にアルミニウムにより形成されている電極とを有する複合ダイオード。

IPC (4件)：

H01L 29/861 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/93

FI (3件)：

H01L 29/91 K , H01L 27/04 U , H01L 29/91 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

特公昭59-035183
特開昭62-036860
特開昭58-188158

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