結晶欠陥評価方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-346054
公開番号（公開出願番号）：特開平11-173988
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】半導体の基板表面に導入された結晶欠陥の種類と密度と深さ方向の分布とを同時に測定可能にする。【解決手段】結晶欠陥が導入された半導体11にレーザービーム13を照射し、半導体11から発せられるルミネッセンス光17をエネルギーまたは波長別に解析し結晶欠陥に起因する発光ピークを得る。

請求項（抜粋）：

レーザービームを結晶欠陥が導入された半導体に照射し、前記半導体から発せられるルミネッセンス光をエネルギーまたは波長別に解析し、前記ルミネッセンス光のエネルギー位置とピーク強度とピークの半値幅が0.1eVより大きいか小さいかとを判別することを特徴とする結晶欠陥評価方法。

IPC (3件)：

G01N 21/64 , G01N 23/20 , H01L 21/66

FI (3件)：

G01N 21/64 Z , G01N 23/20 , H01L 21/66 L

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