薄膜トランジスタ回路および画像表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087997
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274408
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】レーザアニールポリシリコン膜を用いた薄膜トランジスタは、固相成長ポリシリコン膜を用いた薄膜トランジスタに比べて電気的特性のバラツキが大きい。【解決手段】一画素毎に電圧駆動される薄膜表示素子を有する画像表示装置において、この薄膜表示素子に駆動電圧を印加する駆動用TFTの活性層を形成するとともに、この活性層で構成されるゲートのチャネル長の寸法と、それぞれ活性層を構成するポリシリコンの結晶粒領域の比を4-40以内にする。

請求項（抜粋）：

活性層で構成されるゲートのチャネル長の寸法と、前記活性層を構成するポリシリコンの結晶粒領域の平均径との比が、4以上40以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ回路。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , H01L 21/20

FI (6件)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , H01L 21/20 , H01L 29/78 618 Z , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 627 G

Fターム (51件)：

2H092JA26 , 2H092JA31 , 2H092JA32 , 2H092JA38 , 2H092JB56 , 2H092KA04 , 2H092MA07 , 2H092MA27 , 2H092NA21 , 2H092NA29 , 2H092PA06 , 5C094AA03 , 5C094BA03 , 5C094BA29 , 5C094CA25 , 5C094EB05 , 5C094GB10 , 5C094JA08 , 5F052AA11 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052JA01 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110EE38 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN25 , 5F110NN35 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110PP13

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