特許

J-GLOBAL ID：200903058486314811

半導体記憶装置

発明者： 川久保 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070617
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274429
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 高速読み書きが可能で低消費電力のFRAMを提供すること。【解決手段】 トランジスタ601〜606と強誘電体キャパシタ501〜506からなるセルをマトリクス状に配置して構成し、強誘電体キャパシタ501〜506のリークコンダクタンス301〜306を意図的に増大させることによって、待機時にインターナルノードN601〜606 から基板等へ流れるリークコンダクタンス401〜406をキャンセルし、常にインターナルノードN601〜606の電位を一定にする。この結果、安定な分極状態の保持が可能になり、プレート電位固定型FRAMに特有のリフレッシュ動作が不要になる。

請求項（抜粋）：

転送ゲート用トランジスタと、該転送ゲート用トランジスタの一方の主電極領域と接続した第1の電極層、一定電位のプレート線に接続した第2の電極層と、該第1および第2の電極層に狭まれ、駆動電圧の最大値におけるリーク電流密度が10-6A/cm2 以上、1A/cm2 以下である強誘電体薄膜からなるキャパシタとを少なくとも有するメモリセルを含むことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 671 C ,  H01L 29/78 371