分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031195
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235463
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】安定した単一縦モード発振を行うことができる上に、高温発振が可能でかつ、特性が均一な半導体レーザ装置とその製造方法を提供する点。【構成】光導波路層をInGaAlP,クラッドをInGaAlP で構成することにより、選択エッチングを可能とすることにより、リッジを再現性良く形成できるようにして、単一縦モードのレーザ発振を安定して行うことができると共に、特性が均一な半導体レーザ装置と、これを高い歩留まりで製造する方法を提供する。

請求項（抜粋）：

(100)面から[011]方向に5 °以上傾斜した第一導電型基板と,この第一導電型基板に重ねて成層する第一導電型クラッド層、第一または第二導電型活性層、第二導電型第一クラッド層及び第二導電型光導波路と,この第二導電型光導波路上の[011]方向に形成するストライプ状リッジと,このストライプ状リッジに設ける第二導電型第二クラッド層と,この第二導電型第二クラッド層と前記第二導電型光導波路の界面に形成する回折格子と,前記ストライプ状リッジを除いて露出する前記第二導電型光導波路に前記第二導電型第二クラッド層に隣接して成層する第一導電型電流阻止層と,この第一導電型電流阻止層及び第二導電型第二クラッド層に積層する第二導電型コンタクト層とを具備することを特徴とする分布帰還型半導体レーザ装置

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