特許
J-GLOBAL ID：200903058490510234
磁気抵抗効果素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214961
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078758
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【構成】 基板1上に非磁性膜2と強磁性膜3とが順に積層された人工格子膜が形成されてなる磁気抵抗効果素子において、基板1は、熱伝導率が2W/mK以上の材料よりなる。また、非磁性膜2は、Cu、Ag、Crより選ばれる少なくとも1種の元素を主成分とする。あるいは、基板上にスピンバルブ膜が形成されてなる磁気抵抗効果素子において、基板が熱伝導率が2W/mK以上の材料よりなる。【効果】 駆動時の発熱による磁気抵抗効果の劣化を防止することができる。このため、磁気ヘッドとして使用すると、さらなる高密度記録化と、厳しい仕様条件にも対応できる高い性能を有するものとなる。
請求項（抜粋）：
強磁性膜と非磁性膜とからなる多層磁気抵抗効果膜が基板上に形成されてなる磁気抵抗効果素子において、前記基板の熱伝導率が2W/mK以上であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01F 10/26
