窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：青山葆 , 河宮治 , 山崎宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085126
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296636
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】バッファ層上の窒化物系III-V族化合物半導体の転位密度が小さくて優れた電気的特性を有する窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体装置を提供する。【解決手段】SiC基板41上にAlNからなるバッファ層42を形成し、更に、AlNからなるバッファ層42上にGa層43を堆積させる。この後、Ga層43の表面に、窒素源を照射して、このGa層43を転位が少ないGaN層の下層部44と、この下層部44よりも更に転位の数が少ないGaN層の上層部45に再構築する。最後に、転位の数が少なくて結晶性に優れたGaN層の上層部45にGaN層46を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上に窒化物系III-V族化合物半導体からなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、上記バッファ層上にGa層を堆積させるGa堆積工程と、上記Ga堆積工程で堆積されたGa層の表面に、窒素源を照射してGaN層として結晶化する結晶化工程と、上記結晶化しているGaN層上に窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる化合物半導体成長工程とを有することを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01S5/323 , H01S5/343

FI (5件)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01S5/323 610 , H01S5/343 610 , H01L29/80 H

Fターム (45件)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AF01 , 5F045AF04 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F045HA15 , 5F052AA04 , 5F052AA18 , 5F052AA22 , 5F052BA11 , 5F052CA01 , 5F052DA04 , 5F052DB06 , 5F052EA11 , 5F052EA13 , 5F052FA05 , 5F052FA19 , 5F052HA01 , 5F052HA06 , 5F052JA05 , 5F052JA07 , 5F052JA10 , 5F073CA02 , 5F073CB04 , 5F073CB06 , 5F073DA06 , 5F073DA07 , 5F073DA16 , 5F073DA35 , 5F073EA29 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化ガリウム系薄膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-265835 出願人：旭化成工業株式会社
非晶質光半導体及びその製造方法並びに光半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-295449 出願人：富士ゼロックス株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-292320 出願人：松下電子工業株式会社

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