特許

J-GLOBAL ID：200903058492298330

レジストパタン形成方法

発明者： 堀内 敏行
出願人/特許権者： 学校法人東京電機大学
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-175821
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075857
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 従来の3分の2乃至は2分の1のピッチおよび線幅を有する微細パタンを形成する。【解決手段】 露光フィールド内のパタンを2群のパタン群に分割し、下層レジスト膜および上層レジスト膜からなる2層レジストを用い、上層レジスト膜だけが感光する波長帯の露光光線により上層レジスト膜を前記の分割した第1のパタン群に対応した形状に露光し、現像を行って、上層レジストパタンを形成した後、該上層レジストパタンをほとんど透過できず、下層レジスト膜が感光する短波長露光光線により、前記上層レジストパタン間に露出した下層レジスト膜を前記の分割した第2のパタン群に対応するパタン形状に露光し、現像を行う。

請求項（抜粋）：

露光フィールド内のパタンを2群のパタン群に分割し、分割した各群のパタンを露光および現像する工程を順次行う、2段階のパタン形成工程を含むレジストパタン形成方法において、基板上または被膜付き基板上に形成した下層レジスト膜および上層レジスト膜からなる2層レジストを用い、下層レジスト膜が感光せず上層レジスト膜だけが感光する波長帯の露光光線により上層レジスト膜を前記の分割した第1のパタン群に対応した形状に露光し、前記露光の後、現像を行って、該第1のパタン群に対応した上層レジストパタンを形成する第1のレジストパタン形成工程を有し、前記第1のレジストパタン形成工程で形成した上層レジストパタンをほとんど透過できず、かつ、下層レジスト膜が感光し、第1のレジストパタン形成工程で用いる露光光線よりも短波長帯の露光光線により、前記上層レジストパタン中の任意のパタンと該任意のパタンに隣接するパタンとの間に露出した下層レジスト膜を前記の分割した第2のパタン群に対応するパタン形状に露光し、該露光の後、現像を行って、上層レジストパタンの直下および前記第2のパタン群に対応するパタン形状露光の際の暗部に、下層レジストパタンを形成する第2のレジストパタン形成工程を有することを特徴とするレジストパタン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/26 511

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/30 573

Fターム (11件)：

2H095BB03 ,  2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096EA02 ,  2H096EA05 ,  2H096EA12 ,  2H096KA02 ,  5F046AA13 ,  5F046AA25 ,  5F046NA01 ,  5F046NA11