特許

J-GLOBAL ID：200903058492414933

薄膜半導体装置

発明者： 猪野 益充 ,  浦園 丈展
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-274600
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116065
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタのゲート電極構造を改善し電気特性並びに信頼性を向上させる。【構成】 薄膜半導体装置は透明絶縁基板1を用いて構成されており、半導体薄膜2を活性層とする薄膜トランジスタ3が集積形成されている。薄膜トランジスタ3のゲート電極5は下側金属層6と上側金属層7とからなる積層構造を有している。下側金属層6はチタン、ニッケル、モリブデン、タングステン又はクロムを主体とする。一方、上側金属層7はアルミニウムを主体とする。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜を活性層とする薄膜トランジスタが絶縁基板上に集積形成された薄膜半導体装置であって、該薄膜トランジスタのゲート電極は、チタン、ニッケル、モリブデン、タングステン又はクロムを主体とする下側金属層と、アルミニウムを主体とする上側金属層とを含む積層構造を有する事を特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 617 K