特許
J-GLOBAL ID:200903058494363163

水素貯蔵装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-090058
公開番号(公開出願番号):特開2000-281301
出願日: 1999年03月30日
公開日(公表日): 2000年10月10日
要約:
【要約】【課題】 有効水素吸蔵量が大きく、かつ低温で活性化し、安価にする。【解決手段】 水素吸蔵合金3により水素を貯蔵する水素貯蔵装置において、水素化前の水素吸蔵合金3の少なくとも一部がBCC相である水素吸蔵合金3を前記水素貯蔵装置に充填する前に、前記水素吸蔵合金3に水素を含有させて予め活性化する第1次活性化工程S103と、この水素吸蔵合金3を酸化性ガスで死活する死活工程S104と、この水素吸蔵合金3を前記水素貯蔵装置に充填する充填工程S106と、この水素貯蔵装置に水素を導入して前記水素吸蔵合金3を再び活性化する第2次活性化工程S107からなることを特徴とする水素貯蔵装置の製造方法
請求項(抜粋):
水素吸蔵合金により水素を貯蔵する水素貯蔵装置において、水素化前の水素吸蔵合金の少なくとも一部がBCC相である水素吸蔵合金を前記水素貯蔵装置に充填する前に、前記水素吸蔵合金に水素を含有させて予め活性化する第1次活性化工程と、この水素吸蔵合金を酸化性ガスで死活する死活工程と、この水素吸蔵合金を前記水素貯蔵装置に充填する充填工程と、この水素貯蔵装置に水素を導入して前記水素吸蔵合金を再び活性化する第2次活性化工程からなることを特徴とする水素貯蔵装置の製造方法。
IPC (3件):
C01B 3/00 ,  C22C 27/02 ,  H01M 8/06
FI (3件):
C01B 3/00 A ,  C22C 27/02 ,  H01M 8/06 R
Fターム (5件):
4G040AA01 ,  4G040AA02 ,  4G040AA43 ,  5H027AA02 ,  5H027BA14
引用特許:
審査官引用 (3件)

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