特許

J-GLOBAL ID：200903058494833011

レベルシフト半導体装置

発明者： 黒 田 忠 広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217636
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064704
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 エンハンスメント型のMOSトランジスタのみを用いて、信号のレベルシフトにおける電力損失、遅延時間、動作余裕を改善したレベルシフト半導体装置を提供する。【解決手段】 “L”レベルの信号を入力端S1 から出力端に伝搬する場合は、NMOSトランジスタMn1のゲート電位がVDDH に設定されるので、ノードn1からノードn2 に“H”レベルがVDDL から低下することなく伝搬し、インバータIV2 によってノードn3 の電位がGNDとなり、出力端子S2 に“L”レベルの信号が導出される。トランジスタMP1の導通によって、ノードn2 の電位がVDDH に充電され、トランジスタMn1のゲート電位は、トランジスタMN2の非導通、トランジスタMP2の導通によってVDDL に遷移し、トランジスタMn1を非導通にしてノードn1 の電位がVDDL 以上に充電されないようにする。

請求項（抜粋）：

ソースに入力信号が供給される第1の一導電型MOSトランジスタと、前記第1の一導電型MOSトランジスタのドレインに入力端子が接続され、出力端子から出力信号を出力するインバータと、前記インバータの入力端子及び出力端子に夫々ドレイン及びゲートが接続される第1の逆導電型MOSトランジスタと、互いのゲート同士及びソース同士が相互に接続され、該ゲートが前記インバータの出力端子に接続され、該ソースが前記第1の一導電型MOSトランジスタのゲートに接続される、第2の一導電型MOSトランジスタ及び第2の逆導電型MOSトランジスタと、前記第2の逆導電型MOSトランジスタのドレインに第1の電圧を供給する第1の電圧源と前記第1の逆導電型MOSトランジスタのソース、前記第2の一導電型MOSトランジスタのドレイン及び前記インバータに、前記第1の電圧よりも絶対値の大きい第2の電圧を供給する第2の電圧源と、を有することを特徴とするレベルシフト半導体装置。