特許

J-GLOBAL ID：200903058495577230

ガラス又は半導体からなるブロックの形成方法及びそのブロックと金属性の基台の接合方法

発明者： 高野 修
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-084295
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182997
出願日： 1991年04月17日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 半田の接合部分の面積を広くし、剪断応力に強い形状になるようにし、また、金属の基台とガラス及び半導体の間の金属薄膜を外部に露出させ、剪断応力に強いガラス及び半導体からなるブロックのと金属の基台の接合を行う。【構成】 ガラス又は半導体からなるブロックを金属の基台に半田によって接合する接合方法において、ガラス又は半導体からなる基板に切込み部を形成し、該基板上に金属薄膜を形成し、前記切込み部を切断して、表面及び側面に金属薄膜22,23を有するガラス又は半導体からなるブロック24を形成し、該ブロック24の金属薄膜22,23を金属の基台25上に搭載し、半田26によりフィレット状に半田付けを行うようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半田によって金属性の基台に接合されるガラス又は半導体からなるブロックの形成方法において、(a)ガラス又は半導体からなる基板に切込み部を形成し、(b)該基板上に金属薄膜を形成し、(c)前記切込み部を切断して、表面及び側面に金属薄膜を有するブロックを形成するガラス又は半導体からなるブロックの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  G01L 9/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-181133
  
• 特開昭56-048142
  
• 特開昭55-148434