特許

J-GLOBAL ID：200903058498177810

半導体ウェハの加熱・冷却方法及び加熱・冷却装置

発明者： ウィリアム・ティー・バッチェルダー
出願人/特許権者： セミコンダクタ システムズ, インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302767
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254557
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 従来の半導体製造方法の接近した加熱過程での問題点である、支持ポストと接触するウェハの部分がウェハのその他の部分とは異なる温度に加熱されることを防止することを目的とする。【構成】 支持部に取り付けられた、上側面を備えたホットプレートと、前記所望の温度に前記ホットプレートを加熱する手段と、前記平坦な物品を前記ホットプレートの付近に支持すると共に前記平坦な物品と前記ホットプレートとの間に空間を形成する、前記ホットプレートの前記上側面に配置された支持手段と、前記支持部に接続された、熱伝導性の非反応性ガスの供給源と、所定量の前記熱伝導性の非反応性ガスを前記ガス供給源から前記空間へ供給するガス供給手段とを有する。

請求項（抜粋）：

所望の温度のホットプレートの付近に概ね平坦な物品を配置し、前記物品と前記ホットプレートとの間に空間を形成する過程と、前記空間に熱伝導性の非反応性ガスを供給する過程とを有することを特徴とする半導体ウェハの加熱・冷却方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 基板加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-336319   出願人：沖電気工業株式会社