特許

J-GLOBAL ID：200903058498700849

酸化物透明導電膜の成膜方法

発明者： 辻野 二朗
出願人/特許権者： 北海道電力株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-355781
公開番号（公開出願番号）：特開2004-190052
出願日： 2002年12月06日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】直流スパッタ法を用いて、従来よりも低い電気抵抗率を有する酸化物透明導電膜の低温成膜を行う。【解決手段】酸化物透明導電膜を、金属ターゲット22と基板24が搭載された非加熱基板ホルダー26とを具えるチャンバ12内で、水素ラジカルを含有する雰囲気で直流スパッタ法を用いて結晶成長させる。これにより、水素ラジカルが酸化物透明導電膜結晶の酸素欠損の生成を促進し、その結果、金属原子とドナー原子との置換が促進されてキャリア濃度が増大される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸化物透明導電膜を直流スパッタ法によって成膜する方法であって、 金属ターゲットと非加熱基板ホルダーとを具えるチャンバ内で、前記成膜を、前記非加熱基板ホルダーに搭載された基板に、水素ラジカルを含有している雰囲気中で行うことを特徴とする酸化物透明導電膜の成膜方法。

IPC (3件)：

C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285

FI (4件)：

C23C14/08 C ,  C23C14/34 M ,  H01L21/285 S ,  H01L21/285 301

Fターム (11件)：

4K029AA09 ,  4K029BA49 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC34 ,  4K029FA09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD39 ,  4M104DD42 ,  4M104HH16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-163363