特許
J-GLOBAL ID:200903058501342355

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大胡 典夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-275925
公開番号(公開出願番号):特開平5-114676
出願日: 1991年10月24日
公開日(公表日): 1993年05月07日
要約:
【要約】【目的】 内装する半導体素子等が損傷せず、高周波特性が良好で製造が容易で安価な半導体装置を提供する。【構成】 配線基板22と伝熱板23とを積層するように張り合わせた基板21に、送信回路素子27を伝熱板23の開口部28の凸部29に放熱端子31を固着し、また配線基板22の配線25にリード32を半田付けするようにして取着させておき、基板21をねじ36で外囲器33の内部に螺着する際に伝熱板23と外囲器33とを接触するようにして熱的に接続させる。そして送信回路素子27で発生した熱は、放熱端子31が接続した伝熱板23から伝熱板23が接触する外囲器33の間に形成される熱抵抗の小さい熱伝導経路を伝えられ、外囲器33の外面から外部に放熱される。これにより安価な構成で、半導体素子等の損傷を来さずに、良好な高周波特性を得ることができる。
請求項(抜粋):
熱伝導材料で形成された外囲器と、所定パターンの配線が形成された配線基板と伝熱板とを積層するように設けた基板と、この基板に前記伝熱板に放熱端子を固着し且つ前記配線基板の配線にリードを固着するようにして取着された半導体素子とを備えてなり、前記基板が前記外囲器の内部に前記伝熱板を該外囲器に熱的に接続させるようにして取着されていることを特徴とする半導体装置。

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