特許
J-GLOBAL ID：200903058502294826
セラミック多層基板上におけるLSI放熱構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金倉 喬二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-084797
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302728
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 セラミック多層基板上のLSIの放熱効果を向上させるとともに、セラミック多層基板作製プロセスの簡素化を提供する事を目的とする。【構成】 セラミック多層基板7上に実装されたLSI9が動作時に発生する熱を放熱する、セラミック多層基板上におけるLSI放熱構造において、前記LSI9表面に、LSIワイヤボンディング用パッド部の内径より若干小さな外形を持つ高熱伝導性弾性シート11を搭載し、さらに該高熱伝導性弾性シート11を介して放熱用フィン14を搭載する。
請求項（抜粋）：
セラミック多層基板上に実装されたLSIが動作時に発生する熱を放熱する、セラミック多層基板上におけるLSI放熱構造において、前記LSI表面に、LSIワイヤボンディング用パッド部の内径より若干小さな外形を持つ高熱伝導性弾性シートを搭載し、さらに該高熱伝導性弾性シートを介して放熱用フィンを搭載したことを特徴とするセラミック多層基板上におけるLSI放熱構造。
IPC (4件)：
H01L 23/34
, H01L 23/36
, H05K 3/46
, H05K 7/20
