特許

J-GLOBAL ID：200903058503808122

半導体装置の製造方法

発明者： 西村 宏 ,  山中 通成 ,  篠原 昭平
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212663
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066202
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 接続孔における配線抵抗の増大や配線の信頼性の低下を招くことなく高密度の配線構造を形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板1上に設けられた絶縁膜2に接続孔3を設ける工程と、接続孔3に第1のアルミニウム膜5を埋め込む工程と、絶縁膜2および第1のアルミニウム膜5上にタングステンを主成分とする導電膜6を形成する工程と、タングステンを主成分とする導電膜6上に第2のアルミニウム膜7を形成する工程と、第2のアルミニウム膜7上にレジストパターン8形成する工程と、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより第2のアルミニウム膜7を選択的に除去する工程と、弗素系ガスを用いたドライエッチングによりタングステンを主成分とする導電膜6を選択的に除去する工程とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた絶縁膜に接続孔を設ける工程と、前記接続孔に第1のアルミニウム膜を埋め込む工程と、前記絶縁膜および前記第1のアルミニウム膜上にタングステンを主成分とする導電膜を形成する工程と、前記タングステンを主成分とする導電膜上に第2のアルミニウム膜を形成する工程と、前記第2のアルミニウム膜上にレジストパターン形成する工程と、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより前記第2のアルミニウム膜を選択的に除去する工程と、弗素系ガスを用いたドライエッチングにより前記タングステンを主成分とする導電膜を選択的に除去する工程とを備えた半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/88 D