特許
J-GLOBAL ID：200903058520564628
熱処理装置および熱処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-353521
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186542
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】熱処理時の基板の割れを防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。【解決手段】光源5から閃光を照射する直前にサセプタ73を下降させて支持ピン70の上端部をサセプタ73の上面から突出させ、サセプタ73に保持された半導体ウェハーWをサセプタ73の上面から一旦浮上させる。そして、光源5から閃光を照射するときにはサセプタ73を再び上昇させて支持ピン70の上端部をサセプタ70の上面よりも低くし、サセプタ73の上面と半導体ウェハーWの下面との間に空気層が挟み込まれて半導体ウェハーWがサセプタ73の上面から浮遊した状態としている。したがって、閃光照射時には浮遊状態の半導体ウェハーWが自由に動くことができ、一瞬の閃光照射によってウェハー表面が急激に熱膨張しても半導体ウェハーWの割れを防止することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板に対して閃光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
フラッシュランプを有する光源と、
前記光源の下方に設けられたチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を略水平姿勢にて保持するサセプタと、
前記サセプタに保持されている基板を前記サセプタの上面から浮上させる浮上機構と、
前記光源から閃光を照射する前に前記浮上機構を作動させて前記サセプタに保持された基板を浮上させるとともに、前記光源から閃光を照射するときには前記浮上機構の動作を停止して前記サセプタの前記上面と前記基板との間に気体層が挟み込まれて前記基板が浮遊した状態となるように前記浮上機構を制御する浮上制御手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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