特許

J-GLOBAL ID：200903058530108167

Mg金属間化合物及びそれを応用したデバイス

発明者： 加藤 彰彦 ,  八木 毅
出願人/特許権者： FDK株式会社
代理人 (1件)： 松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-297657
公開番号（公開出願番号）：特開2008-160077
出願日： 2007年11月16日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】 伝導性に優れたp型のMg金属化合物(Mg2X)を提供すること【解決手段】 逆ホタル石構造を有する一般式:Mg2X(Xは4族元素の一種または複数)において、少なくとも2種類以上のアクセプタードーパントを含み、そのうちの少なくとも1種類は、価電子帯近傍に浅い不純物準位AL2を形成し、少なくとも別の1種類は、その価電子帯近傍に形成したアクセプタードーパントよりも深い不純物準位AL1を形成するように構成する。無添加時に自然欠陥により深いドナー準位DLに形成される伝導電子は、深い不純物準位に形成される正孔に捕獲されるため、p型となる。そして、浅い不純物準位に形成される正孔がキャリアとなるため、高伝導性を有するものとなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

逆ホタル石構造を有する一般式:Mg2X(Xは4族元素Si及びGe及びSnから選択される一種または複数の元素)において、 少なくとも2種類以上のアクセプタードーパントを含み、そのうちの少なくとも1種類は、価電子帯近傍に浅い不純物準位を形成し、 少なくとも別の1種類は、その価電子帯近傍に形成したアクセプタードーパントよりも深い不純物準位を形成するように構成されることを特徴とするMg金属間化合物。

IPC (3件)：

H01L 35/20 ,  C22C 23/00 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L35/20 ,  C22C23/00 ,  H01L33/00 A

Fターム (5件)：

5F041AA21 ,  5F041CA41 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58