特許
J-GLOBAL ID：200903058533056737
薄膜形成方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-261932
公開番号（公開出願番号）：特開2001-081570
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：
【要約】【課題】 解離エネルギーの異なる成膜用ガスとラジカル原料ガスを用いて膜形成する場合において各ガスの解離をそれぞれ制御して各ガスの過剰解離によるイオンの多量発生や高いプラズマポテンシャルによる膜のダメージを抑制しつつ、高品位な膜を形成することができ、さらに大面積に均一に良質な膜を形成することができる薄膜形成方法及び装置を提供する。【解決手段】 基板ホルダ12を設けた成膜室1と、成膜室1に連設され、基板ホルダ12に設置される被成膜基板Sの成膜対象領域全体に均一に中性ラジカルを照射するラジカル照射装置2とを用い、成膜室1に所定の成膜用ガスを導入して基板ホルダ12に設置した被成膜基板Sの近傍に成膜用ガスプラズマPL1を形成することと、ラジカル照射装置2において所定のラジカル原料ガスを励起、解離して中性ラジカルRAを生成させるとともにラジカルRAを被成膜基板Sの成膜対象領域に均一に照射することとで被成膜基板Sに所定の薄膜を形成する薄膜形成方法、及びこれを実施する薄膜形成装置A。
請求項（抜粋）：
基板ホルダを設けた成膜室と、該成膜室に連設され、前記基板ホルダに設置される被成膜基板の成膜対象領域全体に均一に中性ラジカルを照射するラジカル照射装置とを用い、前記成膜室に所定の成膜用ガスを導入して前記基板ホルダに設置した被成膜基板の近傍に成膜用ガスプラズマを形成することと、前記ラジカル照射装置において所定のラジカル原料ガスを励起、解離して中性ラジカルを生成させるとともに該ラジカルを前記被成膜基板の成膜対象領域に均一に照射することとで該被成膜基板に所定の薄膜を形成する薄膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
4K030AA06
, 4K030AA14
, 4K030AA17
, 4K030AA24
, 4K030BA29
, 4K030BA44
, 4K030CA04
, 4K030CA06
, 4K030EA06
, 4K030FA03
, 4K030FA04
, 4K030JA16
, 4K030JA18
, 4K030KA12
, 4K030KA16
, 4K030KA30
, 4K030LA18
