特許
J-GLOBAL ID:200903058533588232
プラズマ処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石原 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-324880
公開番号(公開出願番号):特開2004-158751
出願日: 2002年11月08日
公開日(公表日): 2004年06月03日
要約:
【課題】プラズマ処理装置において、50MHz以上の高周波電力の使用による基板温度制御性の悪化を防止し、プラズマ生成用高周波電力の高パワー化・低周波化に伴う基板保持手段の破損の防止、面内温度制御性の悪化を防止する。【解決手段】▲1▼プラズマ生成のため印加する高周波電力の周波数に対応して所定の誘電損失を持つ基板保持手段10の材質を選択すること。▲2▼伝熱ガスを基板6に供給して、基板温度の均一化と冷却を行うため、伝熱ガス流路15を設け、この伝熱ガス流路15を導電体で包囲すること。▲3▼伝熱ガス流路15には、基板6と基板保持手段10の間に伝熱ガスを供給する複数のガス導入孔スリーブを設け、その孔の数は、基板保持手段10に内蔵された電極に印加される電力のワット密度により最適値が求められる。▲4▼基板6と、吸着用電力印加電極11a、11bと、放電用電力印加電極が、基板設置の垂直下方向に層状に構成し、かつ平行に配置されること。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ガス供給装置と真空排気装置とを備えた真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を基板保持台上に保持、離脱させる基板保持装置と、前記基板保持台に対向して配設されたアンテナに接続された高周波電源とを有するプラズマ処理装置であって、前記基板保持装置の基板保持台上面に前記基板の下面を接触させることで、前記基板と基板保持台とを吸着させ、プラズマ生成のため印加する高周波電力の周波数に対応して所定の誘電損失を持つ基板保持台の材質を選択することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H01L21/68
, C23C16/458
, H01L21/3065
, H01L21/31
FI (4件):
H01L21/68 R
, C23C16/458
, H01L21/31 C
, H01L21/302 101G
Fターム (35件):
4K030CA04
, 4K030FA04
, 4K030GA02
, 4K030KA23
, 4K030KA46
, 4K030LA15
, 4K030LA18
, 5F004AA01
, 5F004BA04
, 5F004BB11
, 5F004BB22
, 5F004BB25
, 5F004BB29
, 5F004BC03
, 5F031CA02
, 5F031CA05
, 5F031HA02
, 5F031HA03
, 5F031HA08
, 5F031HA10
, 5F031HA16
, 5F031HA18
, 5F031HA19
, 5F031HA33
, 5F031HA37
, 5F031HA38
, 5F031HA39
, 5F031MA28
, 5F031MA32
, 5F045AA08
, 5F045BB01
, 5F045EH14
, 5F045EJ03
, 5F045EM05
, 5F045EM09
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