特許
J-GLOBAL ID:200903058540548572

マイクロ波集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮田 金雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-089106
公開番号(公開出願番号):特開平8-288701
出願日: 1995年04月14日
公開日(公表日): 1996年11月01日
要約:
【要約】【目的】 マイクロ波集積回路用パッケージの直流バイアス印加用フィードスルーからの不要波の漏洩あるいは流入を防止することにより、マイクロ波集積回路装置の高性能化を図ることを目的とする。【構成】 直流バイアス印加用フィードスルーとして、PZT系などの高誘電率材料からなる誘電体基板と誘電体ブロックとを用い、かつ、誘電体基板上には中央部の幅が他の部分よりも広い配線パターンを設ける構成とした。【効果】 配線パターンと金属フレーム間および配線パターンと底板間に大容量のキャパシタが形成される。このキャパシタにより、外部からの不要波の流入あるいはマイクロ波集積回路からの不要波の漏洩を防ぐことができるため、高性能なマイクロ波集積回路装置を得ることができるとともに他の機器への悪影響をなくすこともできる。
請求項(抜粋):
Fe-Ni-Coや42Alloyなどの合金材料からなるロの字型の金属フレームと、上記金属フレームの一方の開口面を塞ぐように設けられ、合金材料からなる底板と、上記金属フレームの一つの側面から対抗する面に向かって、金属フレームの側壁を貫通するように設けられ、且つ、マイクロ波集積回路にバイアスあるいは信号を印加するためのフィードスルーと、上記金属フレームの他方の開口面を塞ぐように設けられたパッケージ・リッドから成るマイクロ波集積回路用パッケージと、上記マイクロ波集積回路用パッケージ内の底板に装着されたマイクロ波集積回路と、上記マイクロ波集積回路用パッケージ内の金属フレームの側壁に設けられたRuO2 などの抵抗体とからなることを特徴とするマイクロ波集積回路装置。
IPC (5件):
H01P 1/00 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 25/00 ,  H01P 5/08
FI (5件):
H01P 1/00 Z ,  H01L 23/12 301 C ,  H01L 25/00 B ,  H01P 5/08 L ,  H01L 23/12 B

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