半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-050655
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246557
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】ガラス基板上に耐吸湿性の高い高品質なゲート絶縁膜を低温で形成する。【解決手段】ガラス基板1の上に形成した半導体層2の上に、シリコンを多く含む酸化膜4を上表層に有するゲート絶縁膜3が形成され、ゲート絶縁膜3の酸化膜4上にゲート電極5が形成されている。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に、チャネル半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極が基板側からこの順に積層形成され、該チャネル半導体層はSi系半導体からなり、該ゲート絶縁膜はSiO2からなると共に基板と反対側の表層にシリコンを多く含む酸化膜を有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 627 E

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