特許

J-GLOBAL ID：200903058553000444

化合物半導体結晶基板

発明者： 井上 哲也 ,  羽木 良明
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300724
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162378
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 転位密度がより低下された化合物半導体結晶基板を提供する。【構成】 不純物が添加された化合物半導体からなる基板であって、化合物半導体結晶は、そのキャリア濃度をc.c.、活性化率をηとしたとき、以下の関係を満たすことを特徴とする。η≦c.c./(7.8×1015)...(1)η≦(10/19)×(197-2.54×10-17 ×c.c.)...(2)η≧c.c./(3.6×1016)...(3)

請求項（抜粋）：

不純物が添加された化合物半導体結晶からなる基板であって、前記化合物半導体結晶は、そのキャリア濃度をc.c.、活性化率をηとしたとき、以下の関係を満たすことを特徴とする、化合物半導体結晶基板。 η≦c.c./(7.8×1015)...(1) η≦(10/19)×(197-2.54×10-17 ×c.c.)...(2) η≧c.c./(3.6×1016)...(3)

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  C30B 11/00 ,  C30B 29/40