特許

J-GLOBAL ID：200903058555688940

気相成長装置

発明者： 赤川 慶一 ,  片岡 敬
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307917
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144734
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 反応炉内で成長する反応生成物の洗浄を容易にし、更に、高品質な薄膜を気相成長させることが可能な気相成長装置を提供することを目的としている。【構成】 上部反応炉6の内壁面に近接して円筒状の遮蔽板20を配設し、この遮蔽板20に気相成長時に反応炉1内で成長する反応生成物9を堆積させ、一定回数気相成長を行った後に遮蔽板20を取外して反応生成物9の洗浄を行なう。また、遮蔽板20は上部反応炉6よりも表面積が小さいので、洗浄後の脱ガスの成長膜に与える影響が小さくなり、高品質の薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

反応炉内に配設した基板ホルダ上に載置された基板を加熱手段により加熱するとともに、前記反応炉内に原料ガスを供給して前記基板に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、気相成長時に前記反応炉内で成長する反応生成物を堆積させる遮蔽板を前記反応炉の内壁面に近接させて配設したことを特徴とする気相成長装置。