特許

J-GLOBAL ID：200903058558670529

超伝導装置

発明者： 仲川 博 ,  黒沢 格 ,  高田 進 ,  小柏 俊典
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  田中電子工業株式会社
代理人 (2件)： 早川 政名 ,  早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260405
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102538
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】熱圧着工程におけるパッドと半田バンプ間の熱拡散を抑制することにより、超伝導素子と半田バンプとの接合強度を高めるとともに超伝導コンタクトを確保すること【構成】超伝導素子のNb 電極上に、極薄膜からなるパッドを形成し該パッドに、Pb を主要元素とし超伝導性を有する半田バンプを熱圧着により接合させることによって、前記Nb 電極と外部リードとを接続せしめる超伝導装置において、前記パッドを厚さ2〜 200nmのPd 極薄膜としたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

超伝導素子のNb 電極上に、極薄膜からなるパッドを形成し該パッドに、Pb を主要元素とし超伝導性を有する半田バンプを熱圧着により接合させることによって、前記Nb 電極と外部リードとを接続せしめる超伝導装置において、前記パッドを厚さ2〜 200nmのPd 極薄膜としたことを特徴とする超伝導装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-012941
  
• 特開昭58-207686
  
• 特開平2-021628