特許

J-GLOBAL ID：200903058564348981

荷電粒子線調整方法、パターン転写方法及びこれらの方法を用いたデバイス製造方法

発明者： 中筋 護
出願人/特許権者： 中筋 護
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-135250
公開番号（公開出願番号）：特開2001-283762
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 荷電粒子線を用いた線幅測定装置で、光軸の近くと遠くで測定値に差が出る。欠陥検査装置で、光軸近くのラスター間の欠陥を検出出来ない。電子線転写装置で、光軸近くのパターンと光軸から遠いパターンとで線幅に差がでる。【解決手段】 線幅測定装置や欠陥検査装置で、光軸近くでのビーム調整で合焦条件を不足焦点側にずらす事により偏向視野全域でビーム径をほぼ同じ値にする。また、電子線転写装置で、光軸近くの副視野ではビームの合焦条件を不足焦点側にずらし、視野端の副視野と同程度のビームボケにすることにより、線幅精度を向上させる。

請求項（抜粋）：

荷電粒子線源、コンデンサレンズ、偏向器、対物レンズ、試料面を有する装置で、偏向視野内で荷電粒子を走査し試料面にビームを照射する方法において、光軸から最も遠い視野端でビーム径が最小になるレンズ条件を求め、その時のビーム径を記録し、視野内全域でビーム径が上記ビーム径にほぼ等しくなるようレンズ条件を決める事を特徴とする荷電粒子線調整方法。

IPC (3件)：

H01J 37/21 ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

H01J 37/21 B ,  H01J 37/21 Z ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 541 S

Fターム (6件)：

2H097AA03 ,  2H097CA16 ,  5C033MM03 ,  5F056AA22 ,  5F056CB30 ,  5F056FA07