特許

J-GLOBAL ID：200903058571552250

圧電体デバイス、液体吐出ヘッド、強誘電体デバイス及び電子機器の製造方法

発明者： 樋口 天光 ,  岩下 節也 ,  宮澤 弘 ,  李 欣山 ,  角 浩二 ,  村井 正己
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-338514
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172495
出願日： 2002年11月21日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】結晶配向が所望の向きに揃えられた圧電体膜又は強誘電体膜を備えた圧電体デバイス又は強誘電体デバイスを効率良く製造する方法を提供する。【解決手段】基板(11、52)の上に下部電極(13、542)を形成し、前記下部電極上に強誘電体膜又は圧電体膜の材料を含むゾルを塗布し乾燥及び脱脂して前駆体とした後焼成するプロセスの実行によって強誘電体膜(24)又は圧電体膜(543)を形成し、前記強誘電体膜又は圧電体膜上に上部電極(25、541)を形成する。強誘電体膜又は圧電体膜を形成する工程において、前記脱脂後の少なくとも一回、前記前駆体にイオンビームを照射する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に圧電体膜の材料を含むゾルを塗布し乾燥及び脱脂して前駆体とした後焼成するプロセスの実行によって圧電体膜を形成する工程と、前記圧電体膜上に上部電極を形成する工程とを備えた圧電体デバイスの製造方法であって、前記圧電体膜を形成する工程において、前記脱脂後の少なくとも一回、前記前駆体にイオンビームを照射する、圧電体デバイスの製造方法。

IPC (9件)：

H01L41/22 ,  B41J2/16 ,  F04B9/00 ,  F04B43/04 ,  H01L27/105 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24

FI (12件)：

H01L41/22 Z ,  F04B9/00 B ,  F04B43/04 B ,  H01L27/10 444Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 D ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101J ,  B41J3/04 103H

Fターム (41件)：

2C057AF93 ,  2C057AG12 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP25 ,  2C057AP31 ,  2C057AP52 ,  2C057AP61 ,  2C057AP90 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14 ,  3H075AA01 ,  3H075BB04 ,  3H075BB13 ,  3H075CC40 ,  3H075DB02 ,  3H077AA06 ,  3H077CC02 ,  3H077CC09 ,  3H077DD06 ,  3H077EE34 ,  3H077EE37 ,  3H077FF01 ,  3H077FF06 ,  3H077FF12 ,  3H077FF14 ,  3H077FF36 ,  5F083FR01 ,  5F083HA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA45 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34