特許

J-GLOBAL ID：200903058571929116

面発光半導体レーザ素子及びその製作方法

発明者： 内山 誠治
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社 ,  技術研究組合新情報処理開発機構
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-111739
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307863
出願日： 1998年04月22日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 高反射率の反射鏡を反射率にばらつき無く製作できる反射鏡構造を有する面発光レーザ素子及びその製作方法を提供する。【解決手段】 本面発光半導体レーザ素子は、Ga As 基板101と、Ga As基板上に設けられたGa As /AlAs の多層膜からなる第1の反射鏡102と、第1の反射鏡上に形成された発光部を構成する積層構造103、104、105、106と、積層構造上に形成された第2の反射鏡115とを備えている。第2の反射鏡は、GaAs膜111と、両側縁に沿ってAlO支持層109を有する空気層110とを1対とする多層膜で構成されている。

請求項（抜粋）：

Ga As 基板と、Ga As 基板上に設けられたGa As /AlAs の多層膜からなる第1の反射鏡と、第1の反射鏡上に形成された発光部を構成する積層構造と、積層構造上に形成された第2の反射鏡とを備えた面発光半導体レーザ素子であって、第2の反射鏡は、GaAs膜と、両側縁に沿って設けられたAlO層によって区画された空気層とを1対とする多層膜で構成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ素子。