特許

J-GLOBAL ID：200903058572482360

配線基板

発明者： 野妻 光彦
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-296631
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101120
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 配線基板を光半導体パッケージに低温で強固に接着固定できるとともに、配線基板上に光半導体素子を低温で強固に接着固定できるようにすること。【解決手段】 絶縁基板1の上面に、密着金属層2、第1の拡散防止層3、Auから成る主導体層4、第2の拡散防止層5およびAuとSnとのモル比がAu:Sn=5:95〜15:85であるAu-Sn合金から成るロウ層6が順次積層された第1の配線導体層が形成され、絶縁基板1の下面に、密着金属層2、第1の拡散防止層3、Auから成る主導体層4、第2の拡散防止層5およびAuとSnとのモル比がAu:Sn=16:84〜30:70であるAu-Sn合金から成るロウ材層7が順次積層された第2の配線導体層が形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の上面に、密着金属層、第1の拡散防止層、Auから成る主導体層、第2の拡散防止層およびAuとSnのモル比がAu:Sn=5:95〜15:85であるAu-Sn合金から成るロウ材層が順次積層された第1の配線導体層が形成され、前記絶縁基板の下面に、密着金属層、第1の拡散防止層、Auから成る主導体層、第2の拡散防止層およびAuとSnのモル比がAu:Sn=16:84〜30:70であるAu-Sn合金から成るロウ材層が順次積層された第2の配線導体層が形成されていることを特徴とする配線基板。

IPC (5件)：

H01S 5/022 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 31/02 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/24

FI (5件)：

H01S 5/022 ,  H01L 23/12 301 J ,  H05K 1/09 C ,  H05K 3/24 B ,  H01L 31/02 B

Fターム (38件)：

4E351AA09 ,  4E351BB01 ,  4E351BB23 ,  4E351BB24 ,  4E351BB29 ,  4E351BB36 ,  4E351BB38 ,  4E351CC01 ,  4E351CC05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD11 ,  4E351DD12 ,  4E351DD17 ,  4E351DD19 ,  4E351DD24 ,  4E351DD58 ,  4E351GG01 ,  4E351GG15 ,  5E343AA02 ,  5E343AA24 ,  5E343BB09 ,  5E343BB18 ,  5E343BB23 ,  5E343BB34 ,  5E343BB35 ,  5E343BB38 ,  5E343BB44 ,  5E343BB53 ,  5E343BB71 ,  5E343DD21 ,  5E343GG01 ,  5E343GG18 ,  5F073CA07 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22 ,  5F088BA16 ,  5F088JA03 ,  5F088JA20