特許

J-GLOBAL ID：200903058573798647

ノイズフィルタ

発明者： 富永 亨 ,  中村 和敬 ,  久保田 浩幸 ,  米田 康信 ,  後 外茂昭
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311406
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140208
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 小型化、SMT化に対応でき、電圧抑制能力を向上させて、ノイズによる半導体デバイス等の誤動作を確実に防止でき、部品点数、実装コストを低減できるとともに、寿命特性の悪化を回避でき、信号の入出力に方向性のないノイズフィルタを提供する。【構成】 複数のセラミックス層を積層して形成した半導体磁器の左,右側面に第1,第2側面電極を設け、前,後側面に第3,第4側面電極を設け、第1セラミック層に第1内部電極を設け、第1内部電極の両端を第3,第4側面電極に接続し、第2セラミック層に、第2セラミック層を挟んで第1内部電極と重なるように第2内部電極を設け、第2電極の両端にその一端が接するように、第3セラミック層の両端に抵抗体を設け、それぞれの抵抗体の他端を側面電極にそれぞれ接続する。

請求項（抜粋）：

複数のセラミック層を積層して半導体磁器を構成し、該半導体磁器の内部に前記複数のセラミック層を介して複数の内部電極と抵抗体を形成したノイズフィルタであって、前記半導体磁器の左,右側面に第1,第2側面電極を形成し、前,後側面に第3,第4側面電極を形成するとともに、前記セラミック層の第1セラミック層に第1内部電極を形成し、該第1内部電極の両端を前記第3,第4側面電極に接続し、前記セラミック層の第2セラミック層に、該セラミック層を介して前記第1内部電極との一部と重なるように第2内部電極を前記半導体磁器内部に封入して形成し、該第2内部電極の両端にその一部が接するように抵抗体を前記セラミック層の第3セラミック層の両端に形成し、該抵抗体を介して前記第2内部電極を前記第1,第2側面電極に接続したことを特徴とするノイズフィルタ。