特許
J-GLOBAL ID：200903058577150153
半導体結晶成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-237919
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084796
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】III -V 族化合物半導体の分子線エピタキシャル成長法において、V 族分子脱離を抑制し、高品質結晶成長を可能にすることに本発明の目的がある。【構成】基板面方位が(100)面である化合物半導体基板上に、砒素またはリンを含むIII -V 族化合物結晶を分子線エピタキシー法により成長させる方法において、正確な(100)面方位基板上でV 族脱離を生じる成長条件下で基板面方位が任意の方向に0.5度から6度の範囲で傾斜した基板を用いて成長することに特徴がある。本発明によると、正確な(100)面方位基板上では図2に示した様な荒れた表面モホロジーとなる成長条件下でも、図1に示した様なV 族分子脱離の少ない高品質な結晶を得ることが出来る。
請求項（抜粋）：
III -V 族化合物半導体結晶を構成する元素を原子あるいは分子の状態で化合物半導体基板表面に供給して前記化合物半導体基板上に前記III-V 族化合物半導体結晶を分子線エピタキシー法により成長させる方法において、正確な(100)面方位基板上でV 族原子が脱離を生じる成長条件下で、基板面方位が(100)面に対して任意方向に0.5度〜6度の範囲で傾斜した、化合物半導体基板にIII 族およびV 族の原子あるいは分子を供給することを特徴とする半導体結晶成長方法。
IPC (5件)：
H01L 21/203
, C30B 23/08
, C30B 25/02
, C30B 25/20
, H01L 21/205
