特許

J-GLOBAL ID：200903058581104506

半導体記憶装置

発明者： 石塚 良行
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-262550
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122716
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】 アドレスプリデコーダに入力される信号に時間差が生じにくいようにして、プリデコーダの誤動作を防止する。【構成】 例えば、メモリチップ1の左右の辺に組となるアドレスパッドA3、A4が位置した場合に、これらのパッドが接続されるべきアドレスプリデコーダ9を、夫々のアドレスパッドからほぼ等距離に位置するように配置することにより、信号線10、11の長さにアンバランスが生じることを防止するので、信号入力に時間差が生じにくく、プリデコーダが誤動作しにくい。

請求項（抜粋）：

外部から指定入力されたアドレスに対応するメモリセルに対し、データを出し入れするものであって、アドレスプリデコーダに接続されるアドレスパッドの内、夫々がチップの異なる辺に位置するパッドが接続されるべきアドレスプリデコーダを、夫々のアドレスパッドからほぼ等距離に位置するように配置したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/10 491 ,  H01L 27/10 471 ,  G11C 11/41 ,  G11C 11/401 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

G11C 11/34 345 ,  G11C 11/34 371 K ,  H01L 27/04 A