特許

J-GLOBAL ID：200903058582496360

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 萩原 裕之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258055
公開番号（公開出願番号）：特開2001-084788
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 しきい値分布の狭い書き込み状態を得ることを可能とした不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイ1と、アドレスによりメモリセルアレイ1のメモリセルを選択するロウデコーダ6及びカラムデコーダ8と、メモリセルアレイ1の読み出しデータをセンスし、書き込みデータをラッチするセンスアンプ/ラッチ回路3と、メモリセルアレイ1の選択されたメモリセルの書き込み及び消去の制御を行う制御回路9と、この制御回路9により制御されて、書き込み時にメモリセルアレイ1のブロック毎の書き込み易さに応じて最適設定された書き込み用電圧を発生する駆動電源回路10とを有する。ブロック毎の最適書き込み電圧は、メモリセルアレイ1の一部を書き込み電圧記憶領域1aとしてここに記憶する。

請求項（抜粋）：

電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、アドレスにより前記メモリセルアレイのメモリセルを選択するデコード回路と、前記メモリセルアレイの読み出しデータをセンスし、書き込みデータをラッチするセンスアンプ/ラッチ回路と、前記メモリセルアレイの選択されたメモリセルの書き込み及び消去の制御を行う制御回路と、この制御回路により制御されて、書き込み時に前記メモリセルアレイのブロック毎の書き込み易さに応じて最適設定された書き込み用電圧を発生する駆動電源回路と、を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (8件)：

G11C 17/00 ,  G01R 31/28 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 491

FI (9件)：

G11C 17/00 D ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 491 ,  G01R 31/28 B ,  G11C 17/00 601 E ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 633 D ,  H01L 27/10 434

Fターム (36件)：

2G032AA08 ,  2G032AD01 ,  2G032AE14 ,  2G032AH04 ,  5B003AA05 ,  5B003AB06 ,  5B003AC07 ,  5B003AD03 ,  5B003AD05 ,  5B003AD09 ,  5B003AE04 ,  5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD02 ,  5B025AD03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD06 ,  5B025AD08 ,  5B025AD09 ,  5B025AD16 ,  5B025AE08 ,  5B025AE09 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP76 ,  5F083GA15 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA10 ,  5F083ZA20 ,  5F083ZA21