特許

J-GLOBAL ID：200903058585189050

減圧熱CVD装置および成膜方法

発明者： 下里 義博
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-056831
公開番号（公開出願番号）：特開2003-253446
出願日： 2002年03月04日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：

【要約】【課題】 成膜装置の稼働率を低下させることなくパーティクルを低減することができる減圧熱CVD装置の提供。【解決手段】 有機金属錯体を気化した材料ガスを供給して、基板上に金属化合物を成膜する減圧熱CVD装置において、成膜時には通電型静電吸着部材109に電圧を印加して材料ガスに含まれるパーティクル111を静電吸着により吸着する。成膜終了後、基板Sをチャンバ100から搬出したならば、通電型静電吸着部材109への印加電圧をオフしてパーティクル111を離脱させ、離脱したパーティクル111をチャンバ外へと排出する。成膜プロセスのサイクルの間にパーティクル111の離脱および排出を行うことにより、装置の稼働率向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

有機金属錯体を気化した材料ガスを供給して、基板上に金属化合物を成膜する減圧熱CVD装置において、前記材料ガスが供給されるチャンバと、前記チャンバ内に配設され、前記材料ガスに含まれるパーティクルを静電吸着作用により吸着する通電型静電吸着部材とを備えたことを特徴とする減圧熱CVD装置。

IPC (2件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

C23C 16/44 J ,  H01L 21/31 B

Fターム (13件)：

4K030AA11 ,  4K030FA10 ,  4K030JA17 ,  4K030KA41 ,  4K030KA49 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045BB15 ,  5F045EB02 ,  5F045EE01 ,  5F045EE10 ,  5F045EF05