特許

J-GLOBAL ID：200903058585591525

窒素-3属元素化合物半導体発光素子

発明者： 真部 勝英 ,  小滝 正宏 ,  加藤 久喜 ,  田牧 真人 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316597
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151968
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】窒素-3属元素化合物半導体発光ダイオードにおける発光輝度及び素子寿命の向上【構成】サファイア基板1に、順に、500 ÅのAlN のバッファ層2、膜厚約2.2μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+層3、膜厚約 1.5μm、電子濃度1 ×1016/cm3の無添加GaN から成る低キャリア濃度n層4、膜厚約0.5 μm、正孔濃度1 ×1016/cm3のMg添加GaN から成る低キャリア濃度p層51、膜厚約0.2 μm、正孔濃度 2×1017/cm3の高キャリア濃度p+ 層52が形成されている。高キャリア濃度p+ 層52及び高キャリア濃度n+ 層3に対してニッケル電極7及び8が形成されている。ニッケル電極7により駆動電圧が低下した。

請求項（抜粋）：

n型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn層と、p型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるp層とを有する窒素-3属元素化合物半導体発光素子において、前記p層に接合する電極をニッケル(Ni)としたことを特徴とする発光素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-252177
  
• 特開平4-242985
  
• 特開昭59-228776
  
• 特開平4-068579
  
• 特開平4-163972