特許

J-GLOBAL ID：200903058586151014

改良されたはんだ接合を備えた半導体デバイス

発明者： 雨海 正純
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (7件)： 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  林 鉐三 ,  清水 邦明 ,  畑中 孝之 ,  岩見 晶啓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-553523
公開番号（公開出願番号）：特表2009-526382
出願日： 2007年02月02日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：

改良されたはんだ接合システムを備えた半導体デバイスを説明する。はんだシステムは、はんだの本体(120)によって接続される2つの銅コンタクト・パッドを含み、このはんだは、錫、銀、及び元素の周期表の遷移族IIIa、IVa、Va、VIa、VIIa、及びVIIIaから少なくとも1つの金属、を含む合金である。このはんだ接合システムは、更に、銅及び錫の化合物、及び銅、銀、及び錫の化合物の粒子を含む金属間化合物層を、パッドとはんだとの間に含む。これらの化合物は遷移金属を含む。化合物粒子内に遷移金属を含むことで、化合物粒子サイズが低減し、繰り返される固体/液体/固体サイクルを受けるはんだ接合後に粒子サイズが増大することを防ぐ。

請求項（抜粋）：

構造体であって、 銅の面を備えた第1のコンタクト・パッド、 銅の面を備え、第1のコンタクト・パッドに対向して配置される、第2のコンタクト・パッド、 前記第1及び第2のコンタクト・パッドに接するはんだ本体であって、前記はんだが、第1の重量パーセントの量の錫と、第2の重量パーセントの量の銀と、平均量が約0.01から約0.5重量パーセントの、元素の周期表の遷移族IIIa、IVa、Va、VIa、VIIa、及びVIIIaから少なくとも1つの金属と、を含む合金であり、前記第1及び第2のコンタクト・パッド近辺のはんだ領域が、ゼロパーセントより大きい第3の重量パーセントを有し、前記はんだ本体の中央領域が、前記第3の重量パーセントより大きい第4の重量パーセントを有する、前記はんだ本体、及び 前記第1のコンタクト・パッドと前記はんだ本体との間の金属間化合物の第1の層と、前記第2のコンタクト・パッドと前記はんだ本体との間の金属間化合物の第2の層とを含み、 前記化合物が、銅及び錫の化合物、及び銅、銀、及び錫の化合物の粒子を含み、前記化合物が遷移金属を含む、構造体。

IPC (4件)：

H01L 21/60 ,  H01L 25/10 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L21/60 311Q ,  H01L25/14 Z

Fターム (3件)：

5F044KK01 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ03