特許
J-GLOBAL ID：200903058587058913
透明導電膜配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 教光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107945
公開番号（公開出願番号）：特開平5-303916
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】 透明導電膜配線基板の製造方法を乾式とし、製造工程の簡略化を図る。【構成】 (a)基板1にSiO2 層2を設ける。(b)SiO2 層2の上に導電性黒膜3を形成する。(c)導電性黒膜3を出力ホーン4から放出されるレーザーで加工し、(d)所望の配線パターンにカッティングする。(c)レーザーで蒸発した金属は真空吸引ヘッド5が吸引する。(e)基板1を焼成して配線パターンの導電性黒膜3を配化・結晶化させ、配線パターンの透明導電膜6を得る。
請求項（抜粋）：
基板の表面に金属薄膜を被着させて透明導電膜を形成させる工程と、前記透明導電膜をレーザーによってパターン加工する工程を有することを特徴とする透明導電膜配線基板の製造方法
IPC (3件)：
H01B 13/00 503
, B23K 26/00
, H05K 3/08
