特許

J-GLOBAL ID：200903058591183366

半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置

発明者： 五十嵐 一雅
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-018950
公開番号（公開出願番号）：特開2001-206931
出願日： 2000年01月27日
公開日（公表日）： 2001年07月31日
要約：

【要約】【課題】半導体素子の高周波化が進む状況のなかで、高周波化に対応した比誘電率が低減され、かつゲル化時間が短い半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】下記の(A)〜(E)成分を必須成分として含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。そして、上記(A)成分と(C)成分の含有割合が、上記(A)成分のエポキシ基1当量に対して上記(C)成分の既反応基を含むシアネートエステル基を0.10〜2.00当量の割合となるように当量比が設定されている。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)トリアジン樹脂。(D)硬化促進剤。(E)無機質充填剤。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(E)成分を必須成分として含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記(A)成分と(C)成分の含有割合が、上記(A)成分のエポキシ基1当量に対して上記(C)成分の既反応基を含むシアネートエステル基を0.10〜2.00当量の割合となるように当量比が設定されていることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)トリアジン樹脂。(D)硬化促進剤。(E)無機質充填剤。

IPC (7件)：

C08G 59/40 ,  C08G 59/20 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (6件)：

C08G 59/40 ,  C08G 59/20 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 C ,  H01L 23/30 R

Fターム (56件)：

4J002CC04X ,  4J002CD03W ,  4J002CD04W ,  4J002CD05W ,  4J002CD06W ,  4J002CM023 ,  4J002DE077 ,  4J002DE137 ,  4J002DE147 ,  4J002DF017 ,  4J002DJ007 ,  4J002DJ017 ,  4J002EE046 ,  4J002EG046 ,  4J002EN036 ,  4J002EU016 ,  4J002EU116 ,  4J002EW176 ,  4J002EY016 ,  4J002FD090 ,  4J002FD130 ,  4J002FD156 ,  4J002FD160 ,  4J002GQ05 ,  4J036AA01 ,  4J036AC01 ,  4J036AC02 ,  4J036AC03 ,  4J036DA06 ,  4J036DB05 ,  4J036DC02 ,  4J036DC41 ,  4J036DC45 ,  4J036DC46 ,  4J036DD07 ,  4J036FA03 ,  4J036FA05 ,  4J036FB02 ,  4J036FB08 ,  4J036FB09 ,  4J036GA04 ,  4J036GA06 ,  4J036GA12 ,  4J036GA13 ,  4J036GA17 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109EA02 ,  4M109EA03 ,  4M109EB02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB12 ,  4M109EC07 ,  4M109EC20 ,  4M109GA10