低不純物炭化ケイ素ウェーハとそのハイパワーデバイスにおける使用

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤田アキラ
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-532493
公開番号（公開出願番号）：特表2005-537657
出願日： 2003年08月22日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

本発明の第一の目的は、低不純物n型又はp型結晶から、高電圧パワーデバイスのベース層として使用できる質を有するSiCウェーハを作製するための方法である。この方法は、低い抵抗率のSiC基板における厚い低不純物層の従来のCVD成長より低いコストソリューションを可能にする。本発明の第二の目的は、非常に高い電圧を阻止することができる新規な半導体構造である。縦型パワーデバイスでは不要な付加的な抵抗を表す高不純物基板を使用する代わりに、本発明のデバイスはnドリフト領域として低不純物ウェーハを使用する。

請求項（抜粋）：

n型又はp型の伝導率を有する一様な炭化ケイ素単結晶であって、結晶が1015cm-3より低い正味のキャリア濃度と室温で少なくとも50nsのキャリア寿命を有することを特徴とする炭化ケイ素単結晶。

IPC (5件)：

H01L29/78 , C30B29/36 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/161

FI (6件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 655C , C30B29/36 A , H01L21/324 X , H01L29/163 , H01L29/78 658A

Fターム (12件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077BE08 , 4G077DB07 , 4G077DB09 , 4G077EA02 , 4G077EB01 , 4G077FE05 , 4G077FE11 , 4G077TA01 , 4G077TA07

引用特許：

出願人引用 (6件)

US patent 5704985
US patent 60306612
US patent 6039812

全件表示

審査官引用 (9件)

シリコン・カーバイド・パワー・トランジスタの最大電圧を増大させるための構造
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-534944 出願人：クーパー,ジェームズ・アルバート,ジュニアー, タン,ジャン
炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-242171 出願人：ホーヤ株式会社
炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-343664 出願人：株式会社デンソー

全件表示

前のページに戻る