特許
J-GLOBAL ID:200903058600333511

ダイヤフラム構造体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  村松 貞男 ,  風間 鉄也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-152974
公開番号(公開出願番号):特開2004-354755
出願日: 2003年05月29日
公開日(公表日): 2004年12月16日
要約:
【課題】ダイヤフラム構造体に配線パターンなどを形成できるようにすること。【解決手段】可変形状鏡の上部基板101は、単結晶シリコン基板105に形成された枠部及びミラー開口部103と、上記シリコン基板105全面にわたって形成された少なくとも2層の薄膜であるポリイミド膜106及び電極膜10により上記ミラー開口部103に形成されたダイヤフラムと、を少なくとも有するダイヤフラム構造体である。そして、上記2層の薄膜の内、少なくとも1層の薄膜である上記電極膜10がパターニングされて、配線12が形成される。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板に形成された枠部及び開口部と、上記基板全面にわたって形成された少なくとも2層の薄膜により上記開口部に形成されたダイヤフラムと、を少なくとも有するダイヤフラム構造体において、 上記2層の薄膜の内、少なくとも1層の薄膜は、パターニングされていることを特徴とするダイヤフラム構造体。
IPC (3件):
G02B5/10 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08
FI (5件):
G02B5/10 B ,  G02B5/10 C ,  B81B3/00 ,  G02B26/08 E ,  G02B26/08 J
Fターム (14件):
2H041AA12 ,  2H041AB14 ,  2H041AB38 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ01 ,  2H041AZ08 ,  2H042AA32 ,  2H042DA08 ,  2H042DA12 ,  2H042DA19 ,  2H042DA22 ,  2H042DC02 ,  2H042DC03 ,  2H042DC08
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 薄膜体ブリッジ構造
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-038111   出願人:松下電工株式会社

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