特許
J-GLOBAL ID:200903058600333511
ダイヤフラム構造体
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 村松 貞男
, 風間 鉄也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-152974
公開番号(公開出願番号):特開2004-354755
出願日: 2003年05月29日
公開日(公表日): 2004年12月16日
要約:
【課題】ダイヤフラム構造体に配線パターンなどを形成できるようにすること。【解決手段】可変形状鏡の上部基板101は、単結晶シリコン基板105に形成された枠部及びミラー開口部103と、上記シリコン基板105全面にわたって形成された少なくとも2層の薄膜であるポリイミド膜106及び電極膜10により上記ミラー開口部103に形成されたダイヤフラムと、を少なくとも有するダイヤフラム構造体である。そして、上記2層の薄膜の内、少なくとも1層の薄膜である上記電極膜10がパターニングされて、配線12が形成される。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板に形成された枠部及び開口部と、上記基板全面にわたって形成された少なくとも2層の薄膜により上記開口部に形成されたダイヤフラムと、を少なくとも有するダイヤフラム構造体において、
上記2層の薄膜の内、少なくとも1層の薄膜は、パターニングされていることを特徴とするダイヤフラム構造体。
IPC (3件):
G02B5/10
, B81B3/00
, G02B26/08
FI (5件):
G02B5/10 B
, G02B5/10 C
, B81B3/00
, G02B26/08 E
, G02B26/08 J
Fターム (14件):
2H041AA12
, 2H041AB14
, 2H041AB38
, 2H041AC06
, 2H041AZ01
, 2H041AZ08
, 2H042AA32
, 2H042DA08
, 2H042DA12
, 2H042DA19
, 2H042DA22
, 2H042DC02
, 2H042DC03
, 2H042DC08
引用特許:
審査官引用 (1件)
-
薄膜体ブリッジ構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-038111
出願人:松下電工株式会社
前のページに戻る