特許

J-GLOBAL ID：200903058602494008

半導体ウエハ処理装置

発明者： 織田 隆文
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-181450
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029264
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】半導体ウエハの温度を一定に制御できるようにして、該半導体ウエハに対して高精度の処理を施すことができるようにする。【構成】下電極4に半導体ウエハ6を載置し、下電極4内に開口8を設けてこれに冷却用ガスをマスフローコントローラ10の流量制御で流し込んで半導体ウエハ6を裏面から直接冷却する一方、冷媒通路11に冷媒を流して間接に半導体ウエハ6を裏面から冷却する。下電極4内に蛍光温度計12を埋設し、この蛍光温度計12の測定出力をマスフローコントローラ10に与え、マスフローコントローラ10は、この測定出力の入力に応答して半導体ウエハの温度を一定に制御するか、または、この測定値から冷媒の温度を制御して半導体ウエハの温度を一定に制御する。

請求項（抜粋）：

電極と、半導体ウエハ温度調整系と、半導体ウエハ温度制御系とを有しており、該電極は、その上に半導体ウエハが載置されるものであり、該半導体ウエハは該載置状態でその表面側から所要の処理が施されるものであり、半導体ウエハ温度調整系は、前記電極内に設けられたものであって、冷却用ガス系回路または冷媒系回路で構成されており、該冷却用ガス系回路は、該電極に形成された開口に半導体ウエハを臨ませ、該開口を介して半導体ウエハの裏面に冷却用ガスを導入して半導体ウエハを直接に冷却するものであり、該冷媒系回路は、電極内に設けられた冷媒通路を有し、該冷媒通路に冷媒が流されることで間接に半導体ウエハを裏面側から冷却するものであり、半導体ウエハ温度制御系は、電極上に載置された半導体ウエハの温度を直接測定する温度計を備えたものであって、該温度計による測定値から冷却用ガス系回路による冷却用ガスの流量を制御して半導体ウエハの温度を一定に制御するか、または、この測定値から冷媒系回路による冷媒の温度を制御して半導体ウエハの温度を一定に制御するものであることを特徴とする半導体ウエハ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-009120
  
• 特開平2-125425
  
• 特開平3-108323