特許
J-GLOBAL ID：200903058614276952
成膜装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285040
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120145
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 ?@半導体基板裏面での成膜を防止でき、パーティクルの発生を抑制でき、パージガスを効果的に作用させてパージガス流量を少なく出来、パージ流量を少なくでき、膜厚分布を向上できる成膜装置の提供。?A大量のパージガスを流すことをも可能とし、ガス濃度の濃いプロセスにも対応できる成膜装置の提供。【構成】 ?@半導体基板3を載置する支持台2と、加熱装置1と、原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有し、パージガスIa〜Icが支持台の外周方向に流出する構成とした成膜装置。?Aパージガスを裏面から流す機構を有し、パージガス排出口近傍に、パージガスの排気口を設けた成膜装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、パージガスが前記支持台の外周方向に流出する構成としたことを特徴とする成膜装置。
引用特許：
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