特許

J-GLOBAL ID：200903058615866214

グラフェンを用いた電子デバイスの製造方法

発明者： 廣瀬 真一 ,  岩井 大介 ,  大淵 真理
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-207369
公開番号（公開出願番号）：特開2009-043939
出願日： 2007年08月09日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】 グラフェンを用いた電子デバイスの製造方法に関し、グラフェンのチャネル幅、方向性を制御して半導体的性質を有するグラフェン或いは金属的性質を有するグラフェンを任意に形成する。【解決手段】 グラフェン1の延在方向の幅及びグラフェン1の延在方向の結晶方向を、走査型プローブ顕微鏡により規定する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

グラフェンの延在方向の幅及びグラフェンの延在方向の結晶方向を、走査型プローブ顕微鏡により規定することを特徴とするグラフェンを用いた電子デバイスの製造方法。

IPC (10件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  C01B 31/02

FI (7件)：

H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/88 M ,  H01L29/48 D ,  C01B31/02 101F

Fターム (51件)：

4G146AA07 ,  4G146AB07 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146CA03 ,  4G146CA11 ,  4G146CA15 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB07 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033HH00 ,  5F033PP00 ,  5F033PP06 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-144905   出願人：富士通株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (1件)

• グラフェントランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-040775   出願人：富士通株式会社