特許

J-GLOBAL ID：200903058619880254

半導体装置

発明者： 葛岡 宏行 ,  遠藤 進 ,  石澤 幸則 ,  大澤 満洋 ,  牧 友行
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社富士通東北エレクトロニクス
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-015831
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218041
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置に係り,特に,TABによりボンディングを行うためのバンプを有する半導体装置に関し,バンプ高さのばらつきがあっても,全面のバンプに安定な接合状態が得られるようなバンプの構造を目的とする。【構成】 TABによりボンディングを行うためのバンプ1を有する半導体装置であって,バンプ1は側面にくびれを有するように構成する。また,前記バンプ1は上面が四角形で,4つの側面にくびれを有するように構成する。また,TABによりボンディングを行うためのバンプ1を有する半導体装置であって,バンプ1は少なくとも2層の金属層を有し,下層の金属層の硬さが上層の金属層の硬さより低いように構成する。

請求項（抜粋）：

TABによりボンディングを行うためのバンプ(1) を有する半導体装置であって,該バンプ(1) は側面にくびれを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 F