成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-125823
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318171
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】PZT、PLZTなどの強誘電体膜を成長するための成膜方法に関し、気相成長法により面内分布が均一な誘電体膜を形成すること。【解決手段】液体原料供給部から供給された液体原料を気化器内で気化して原料ガスを作成し、原料ガスと酸素を混合器内で混合した後に、混合ガスをシャワーヘッドを通して成膜室のウェハ上に放出し、原料ガスと酸素ガスの反応によって酸化物誘電体膜をウェハ表面に形成する一方で、ウェハ上に膜を形成する前と後に、原料ガスの供給を停止するとともに成膜室内に導入する不活性ガスの流量調整により成膜室内でのガスの流量の変動を抑制することを含む。

請求項（抜粋）：

第1の液体原料を気化して第1の原料ガスを発生させる気化器と、複数のガスを混合するガス混合器と、酸素ガスを供給する酸素源と、前記ガス混合器から導入したガスを成膜室内のウェハ上に供給するシャワーヘッドと、前記ウェハを加熱する加熱器を用い、前記ウェハを前記加熱器により加熱し、前記第1の原料ガスと前記酸素ガスを前記ガス混合器内で混合して混合ガスを作成し、前記混合ガスを前記シャワーヘッドを通して前記ウェハ上に供給して、前記第1の原料ガス及び前記酸素ガスの反応により酸素化合物誘電体膜を前記ウェハ上に形成し、前記成膜室内への前記第1の原料ガスの導入を停止した状態で、前記成膜室内の圧力を前記酸化化合物誘電体膜の形成時の圧力と同じに設定するための不活性ガスを前記成膜室内に導入することを特徴とする成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , H01L 21/314

FI (2件)：

H01L 21/31 B , H01L 21/314 A

Fターム (28件)：

5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC17 , 5F045AD09 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045BB02 , 5F045BB15 , 5F045DP03 , 5F045EE02 , 5F045EE04 , 5F045EE05 , 5F045EE07 , 5F045EE14 , 5F045EF05 , 5F045EG07 , 5F045EK07 , 5F045GB13 , 5F058BA06 , 5F058BA11 , 5F058BC01 , 5F058BF06 , 5F058BF36 , 5F058BJ04 , 5F058BJ10

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