特許
J-GLOBAL ID：200903058624915686
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-206365
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056932
出願日： 2003年08月06日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】生産性を損なわずに鉛を使用しない接合方法の提供を可能とすること。【解決手段】ダイマウントペースト2は、樹脂成分の含有量が1wt%であり、応力緩和性が低く、加熱硬化の工程を経た後においてはダイマウントペースト硬化物にクラック6が発生している。ダイマウントペースト2へのクラック6の発生の有無に関わらず、前工程において仮硬化させたダイマウントペースト2に圧力を加えながら熱を加える第二の硬化工程を実施する。例えば、リードフレームを加熱ヒーター8で220°C程度に加熱し、220°C程度に加熱したツール7で半導体素子3をリードフレーム1側に20MPaで5分間加圧する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造方法において、平均粒径20nm以下の微細金属微粒子と平均粒径1μm以上の粗大金属粒子とが合計で60〜98wt%と、20wt%以下の樹脂と、20wt%以下の有機溶剤とを少なくとも含むダイマウント材をリードフレームに供給する工程と、前記ダイマウント材を介して半導体素子をマウントする工程と、加熱により前記ダイマウント材を硬化させる第一の硬化工程と、圧力を加えながら加熱することにより前記ダイマウント材を硬化させる第二の硬化工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F047AA11
, 5F047BA23
, 5F047BA33
, 5F047BA34
, 5F047BA35
, 5F047BA52
, 5F047BA53
