特許

J-GLOBAL ID：200903058625638481

高周波モジュールおよびその製造方法

発明者： 岡部 寛 ,  山下 喜市 ,  山田 宏治 ,  山▲崎▼ 松夫 ,  高橋 昭雄 ,  松本 邦夫 ,  宮崎 勝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-282052
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125830
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 実装基板への放熱効率を良好にし、単純な工程でモジュール全面をシールドした、小型で安価な高周波モジュールおよびその製造法を提供することを目的とする。【解決手段】 外部入出力端子11の周辺ならびに任意の範囲を絶縁性材料とし、それ以外の部分を導電性熱伝導材料10としたモジュール基板と、この基板にフェイスダウン接続した複数の半導体素子30と、複数の半導体素子部ならびに任意の部分に空間を設け、前記モジュール基板に導電性熱伝導材料23で接続され、半導体素子の裏面と導電性熱伝導材料31を介して接続したシールドキャップ40とを備えた高周波モジュールと、このモジュール基板複数個を一枚の基板として作製し、複数の半導体素子およびシールドキャップをこの基板上に取り付けた後、ダイシングによって分割するその製造法。【効果】 小型で実装基板への放熱効率が良好であり、ノイズの影響を受けにくい高周波モジュールが一括生産によって安価に得られる。

請求項（抜粋）：

主表面から裏面に対して設けた外部入出力端子の周辺ならびに主表面上に形成した任意の配線および薄膜受動素子下部の一定範囲を絶縁性材料とし、それ以外の部分を導電性熱伝導材料としたモジュール基板と、前記モジュール基板の主表面上に形成した電極に対して、その主表面上に形成した電極とを接続バンプによって接続した単体もしくは複数の半導体素子と、前記半導体素子部ならびに、前記モジュール基板の主表面上に形成した任意の配線および薄膜受動素子上部に空間を設け、前記モジュール基板の主表面上に前記半導体素子を覆うように導電性熱伝導材料によって接続され、前記半導体素子の裏面と導電性熱伝導材料を介して接続した導電性熱伝導材料のシールドキャップとを備えることを特徴とする高周波モジュール。

IPC (7件)：

H01L 23/34 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/04 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H05K 9/00

FI (6件)：

H01L 23/34 A ,  H01L 23/04 F ,  H01L 23/12 301 J ,  H05K 9/00 Q ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 25/04 Z